BSC018NE2LSATMA1
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- 制造商编号:
- BSC018NE2LSATMA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- OptiMOS™
- 描述:
- MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 25 V 29A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8-1
- 规格说明书:
- BSC018NE2LSATMA1说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 25 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 29A(Ta),100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.8 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 39 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2800 pF @ 12 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),69W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8-1 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 5,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
CSD16407Q5 | Texas Instruments | ¥14.82000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 5,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥8.087615 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥16.039305 | ¥16.04 |
10+ | ¥14.313526 | ¥143.14 |
100+ | ¥11.161243 | ¥1116.12 |
500+ | ¥9.21989 | ¥4609.94 |
1000+ | ¥8.087615 | ¥8087.61 |
5000+ | ¥8.087615 | ¥40438.07 |