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    PSMN030-150B,118

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    制造商编号：
    PSMN030-150B,118
    制造商：
    Nexperia安世
    系列：
    TrenchMOS™
    描述：
    MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
    详细描述：
    表面贴装型 N 通道 150 V 55.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
    规格说明书：
    PSMN030-150B,118说明书
    在线客服：
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    服务：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 Nexperia(安世)
    系列 TrenchMOS™
    包装 卷带（TR） 剪切带（CT）
    零件状态 停产
    FET 类型 N 通道
    技术 MOSFET（金属氧化物）
    漏源电压（Vdss） 150 V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 55.5A（Tc）
    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 30 毫欧 @ 25A，10V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 98 nC @ 10 V
    Vgs（最大值） ±20V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3680 pF @ 25 V
    FET 功能 -
    功率耗散（最大值） 250W（Tc）
    工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
    安装类型 表面贴装型
    供应商器件封装 D2PAK
    封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
    标准包装 800

    替代产品

    型号 品牌 参考价格 说明
    IPB108N15N3GATMA1 Infineon Technologies ¥45.54000 类似
    IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies ¥33.79000 类似
    IRFS52N15DTRLP Infineon Technologies ¥24.73000 类似

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    标准包装
    800 / PCS
    包装
    卷带（TR）
    单价：￥0 总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
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