APT95GR65JDU60
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- 制造商编号:
- APT95GR65JDU60
- 制造商:
- Microsemi美高森美
- 系列:
- -
- 描述:
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- 详细描述:
- IGBT NPT 650 V 135 A 446 W 底座安装 SOT-227
- 规格说明书:
- APT95GR65JDU60说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Microsemi(美高森美) |
系列 | - |
包装 | 散装 |
零件状态 | 停产 |
IGBT 类型 | NPT |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 135 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 380 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.4V @ 15V,95A |
功率 - 最大值 | 446 W |
输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 420 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 29ns/226ns |
测试条件 | 433V,95A,4.3 欧姆,15V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
供应商器件封装 | SOT-227 |
标准包装 | 1 |
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- 包装
- 散装
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阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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