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APT95GR65JDU60

Microsemi photo

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制造商编号:
APT95GR65JDU60
制造商:
Microsemi美高森美
系列:
-
描述:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
详细描述:
IGBT NPT 650 V 135 A 446 W 底座安装 SOT-227
规格说明书:
APT95GR65JDU60说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microsemi(美高森美)
系列 -
包装 散装
零件状态 停产
IGBT 类型 NPT
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 135 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 380 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.4V @ 15V,95A
功率 - 最大值 446 W
输入类型 标准
栅极电荷 420 nC
25°C 时 Td(开/关)值 29ns/226ns
测试条件 433V,95A,4.3 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装 SOT-227
标准包装 1

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标准包装
1 / PCS
包装
散装
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