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FQB4N80TM
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- 制造商编号：
- FQB4N80TM
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- QFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 800 V 3.9A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） D²PAK（TO-263）
- 规格说明书：
- FQB4N80TM说明书
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | QFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.6 欧姆 @ 1.95A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 880 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.13W（Ta），130W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥9.987551 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥18.526019 | ￥18.53 |
| 10+ | ￥16.63363 | ￥166.34 |
| 100+ | ￥13.371807 | ￥1337.18 |
| 800+ | ￥10.986315 | ￥8789.05 |
| 1600+ | ￥9.987551 | ￥15980.08 |
