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IXFD80N20Q-8XQ

IXYS photo

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制造商编号:
IXFD80N20Q-8XQ
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
HiPerFET™
描述:
MOSFET N-CHANNEL 200V DIE
详细描述:
- N 通道 200 V - - 模具
规格说明书:
IXFD80N20Q-8XQ说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 HiPerFET™
包装 散装
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
Vgs(最大值) -
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 -
供应商器件封装 模具
封装/外壳 模具
标准包装 1

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标准包装
1 / PCS
包装
散装
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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