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BZX79B6V2 A0G

Taiwan Semiconductor photo

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制造商编号:
BZX79B6V2 A0G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
详细描述:
二极管 - 齐纳 6.2 V 500 mW ±2% 通孔 DO-35
规格说明书:
BZX79B6V2 A0G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 带盒(TB)
零件状态 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 6.2 V
容差 ±2%
功率 - 最大值 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 4 mA @ 3 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.5 V @ 100 mA
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装 DO-35
标准包装 5,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
1N821A Microchip Technology ¥28.72000 类似
1N823A Microchip Technology ¥25.57000 类似
1N4571A-1 Microchip Technology ¥48.15000 类似
1N827A Microchip Technology ¥52.68000 类似
1N4582A-1 Microchip Technology ¥54.22000 类似

价格库存

库存
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货期
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标准包装
5,000 / PCS
包装
带盒(TB)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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