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APTGV50H60BT3G

Microsemi photo

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制造商编号:
APTGV50H60BT3G
制造商:
Microsemi美高森美
系列:
-
描述:
IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3
详细描述:
IGBT 模块 NPT,沟槽型场截止 升压斩波器,全桥 600 V 65 A 250 W 底座安装 SP3
规格说明书:
APTGV50H60BT3G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microsemi(美高森美)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
IGBT 类型 NPT,沟槽型场截止
配置 升压斩波器,全桥
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 65 A
功率 - 最大值 250 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.45V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值) 250 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 2.2 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP3
供应商器件封装 SP3
标准包装 1

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标准包装
1 / PCS
包装
散装
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