APTGV50H60BT3G
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- 制造商编号:
- APTGV50H60BT3G
- 制造商:
- Microsemi美高森美
- 系列:
- -
- 描述:
- IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3
- 详细描述:
- IGBT 模块 NPT,沟槽型场截止 升压斩波器,全桥 600 V 65 A 250 W 底座安装 SP3
- 规格说明书:
- APTGV50H60BT3G说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Microsemi(美高森美) |
系列 | - |
包装 | 散装 |
零件状态 | 在售 |
IGBT 类型 | NPT,沟槽型场截止 |
配置 | 升压斩波器,全桥 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 65 A |
功率 - 最大值 | 250 W |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.45V @ 15V,50A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 250 µA |
不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 2.2 nF @ 25 V |
输入 | 标准 |
NTC 热敏电阻 | 是 |
工作温度 | - |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SP3 |
供应商器件封装 | SP3 |
标准包装 | 1 |
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- 散装
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