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RS1P600BHTB1

Rohm Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
RS1P600BHTB1
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 3W(Ta),35W(Tc) 8-HSOP
规格说明书:
RS1P600BHTB1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
封装/外壳 8-PowerTDFN
工作温度 150°C(TJ)
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A (Ta), 60A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8.8mOhm @ 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 64 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4080 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3W(Ta),35W(Tc)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-HSOP
标准包装 2,500

价格库存

库存
2440
货期
大陆:7~10天
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥13.670959 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
2500+ ¥13.670959 ¥34177.40

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