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AUIRF7313QTR

Infineon photo

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制造商编号:
AUIRF7313QTR
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 6.9A 2.4W 表面贴装型 8-SOIC
规格说明书:
AUIRF7313QTR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 29 毫欧 @ 6.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 755pF @ 25V
功率 - 最大值 2.4W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
标准包装 4,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated ¥5.38000 类似

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货期
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标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥19.263634 ¥19.26
10+ ¥17.34069 ¥173.41
100+ ¥13.935016 ¥1393.50
500+ ¥11.448822 ¥5724.41
1000+ ¥10.903639 ¥10903.64
4000+ ¥10.903639 ¥43614.56

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