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STB3N62K3

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制造商编号:
STB3N62K3
制造商:
ST意法半导体
系列:
SuperMESH3™
描述:
MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 620 V 2.7A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
规格说明书:
STB3N62K3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 SuperMESH3™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 620 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 13 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 385 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 45W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 1,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IRFBC20STRLPBF Vishay Siliconix ¥23.42000 类似
IRFBC30ASTRLPBF Vishay Siliconix ¥24.57000 类似
IRFBC30ASPBF Vishay Siliconix ¥17.66000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥8.43185 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥17.183194 ¥17.18
10+ ¥15.41141 ¥154.11
100+ ¥12.386322 ¥1238.63
500+ ¥10.176454 ¥5088.23
1000+ ¥8.43185 ¥8431.85

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