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RS1G260MNTB
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RS1G260MNTB
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 40 V 26A（Ta） 3W（Ta），35W（Tc） 8-HSOP
- 规格说明书：
- RS1G260MNTB说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.3 毫欧 @ 26A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 44 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2988 pF @ 20 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），35W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-HSOP |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BSC027N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | ¥12.06000 | 类似 |
| CSD18511Q5AT | Texas Instruments | ¥13.36000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥7.992087 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥17.282662 | ￥17.28 |
| 10+ | ￥15.535746 | ￥155.36 |
| 100+ | ￥12.483677 | ￥1248.37 |
| 500+ | ￥10.256601 | ￥5128.30 |
| 1000+ | ￥8.498246 | ￥8498.25 |
| 2500+ | ￥7.992087 | ￥19980.22 |
