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SUP50020E-GE3
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- 制造商编号：
- SUP50020E-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 60 V 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
- 规格说明书：
- SUP50020E-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 128 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRLB3036PBF | Infineon Technologies | ¥27.42000 | 类似 |
| PSMN2R6-60PSQ | Nexperia USA Inc. | ¥23.42000 | 类似 |
| FDP023N08B-F102 | onsemi | ¥30.26000 | 类似 |
价格库存
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- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 500 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥26.877899 | ￥26.88 |
| 10+ | ￥24.135396 | ￥241.35 |
| 100+ | ￥19.772809 | ￥1977.28 |
| 500+ | ￥16.832153 | ￥8416.08 |
| 1000+ | ￥15.209768 | ￥15209.77 |
