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STS10N3LH5
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- 制造商编号：
- STS10N3LH5
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- STripFET™ V
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 10A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOIC
- 规格说明书：
- STS10N3LH5说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | STripFET™ V |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 不适用于新设计 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.6 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±22V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 475 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| ZXMN3B04N8TA | Diodes Incorporated | ¥9.68000 | 类似 |
| IRF7403TRPBF | Infineon Technologies | ¥8.91000 | 类似 |
| IRF8736TRPBF | Infineon Technologies | ¥6.53000 | 类似 |
| DMN3030LSS-13 | Diodes Incorporated | ¥4.07000 | 类似 |
| DMG4496SSS-13 | Diodes Incorporated | ¥3.69000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
大陆：7~10天送达
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥6.814305 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.136969 | ￥14.14 |
| 10+ | ￥12.632507 | ￥126.33 |
| 100+ | ￥9.851242 | ￥985.12 |
| 500+ | ￥8.138219 | ￥4069.11 |
| 1000+ | ￥6.814318 | ￥6814.32 |
| 2500+ | ￥6.814305 | ￥17035.76 |
