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SI3460DDV-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI3460DDV-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 20 V 7.9A（Tc） 1.7W（Ta），2.7W（Tc） 6-TSOP
- 规格说明书：
- SI3460DDV-T1-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 666 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.7W（Ta），2.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRLMS2002TRPBF | Infineon Technologies | ¥5.53000 | 类似 |
| RUQ050N02TR | Rohm Semiconductor | ¥5.68000 | 类似 |
| NTGS3130NT1G | onsemi | ¥6.99000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥1.418011 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.103078 | ￥4.10 |
| 10+ | ￥3.542324 | ￥35.42 |
| 100+ | ￥2.646983 | ￥264.70 |
| 500+ | ￥2.079763 | ￥1039.88 |
| 1000+ | ￥1.607089 | ￥1607.09 |
| 3000+ | ￥1.465284 | ￥4395.85 |
| 6000+ | ￥1.418011 | ￥8508.07 |
