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SIR406DP-T1-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SIR406DP-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
详细描述:
表面贴装型 N 通道 25 V 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK® SO-8
规格说明书:
SIR406DP-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.8 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 50 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2083 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 5W(Ta),48W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
标准包装 3,000

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型号 品牌 参考价格 说明
CSD16413Q5A Texas Instruments ¥11.90000 类似

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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
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