SISA40DN-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SISA40DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET® Gen IV
- 描述:
- MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 20 V 43.7A(Ta),162A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8
- 规格说明书:
- SISA40DN-T1-GE3说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® Gen IV |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 43.7A(Ta),162A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.1 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 53 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | +12V,-8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3415 pF @ 10 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.7W(Ta),52W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥7.352097 | ¥7.35 |
10+ | ¥6.43451 | ¥64.35 |
100+ | ¥4.93377 | ¥493.38 |
500+ | ¥3.89994 | ¥1949.97 |
1000+ | ¥3.119956 | ¥3119.96 |
3000+ | ¥2.924972 | ¥8774.92 |