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SIDC24D30SIC3
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- 制造商编号：
- SIDC24D30SIC3
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- -
- 描述：
- DIODE SILICON 300V 10A WAFER
- 详细描述：
- 二极管 碳化硅肖特基 300 V 10A（DC） 表面贴装型 带箔切割晶片
- 规格说明书：
- SIDC24D30SIC3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | Digi-Key 停止提供 |
| 二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 300 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 10A（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.7 V @ 10 A |
| 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 0 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 200 µA @ 300 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 600pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 模具 |
| 供应商器件封装 | 带箔切割晶片 |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
| 标准包装 | 1 |
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- 1 / PCS
- 包装
- 散装
总价：￥0.00
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