STD10NF10T4
![ST photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/STMicroelectronics.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/ST/5Q1bakNA.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/ST/5Q1bakNA.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- STD10NF10T4
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- STripFET™ II
- 描述:
- MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 100 V 13A(Tc) 50W(Tc) DPAK
- 规格说明书:
- STD10NF10T4说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | STripFET™ II |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 130 毫欧 @ 5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 21 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 460 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 50W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | DPAK |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | ¥9.83000 | 类似 |
AUIRLR3410TR | Infineon Technologies | ¥5.41943 | 类似 |
IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies | ¥9.83000 | 类似 |
DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated | ¥4.99000 | 类似 |
IXTY18P10T | IXYS | ¥30.18000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥10.771677 | ¥10.77 |
10+ | ¥9.663733 | ¥96.64 |
100+ | ¥7.532537 | ¥753.25 |
500+ | ¥6.222154 | ¥3111.08 |
1000+ | ¥5.210038 | ¥5210.04 |
2500+ | ¥5.210004 | ¥13025.01 |