在线客服 
PMV45EN2VL
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- PMV45EN2VL
- 制造商：
- Nexperia安世
- 系列：
- TrenchMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 5.1A（Ta） 510mW（Ta） TO-236AB
- 规格说明书：
- PMV45EN2VL说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Nexperia(安世) |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 42 毫欧 @ 4.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 209 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 510mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 10,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SI2306BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | ¥4.84000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 10,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥1.065047 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 10000+ | ￥1.065047 | ￥10650.47 |
相关产品
-
-
-
-
P51-200-S-AA-M12-4.5V-000-000 Amphenol SSI Technologies
描述：SENSOR 200PSI 7/16-20 UNF 4.5V
价格：￥1477.190178
-
-
-