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IXTH68P20T

IXYS photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
IXTH68P20T
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
TrenchP™
描述:
MOSFET P-CH 200V 68A TO247
详细描述:
通孔 P 通道 200 V 68A(Tc) 568W(Tc) TO-247(IXTH)
规格说明书:
IXTH68P20T说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 TrenchP™
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 68A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 55 毫欧 @ 34A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 380 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 33400 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 568W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247(IXTH)
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥114.201594 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥175.885281 ¥175.89
10+ ¥161.637653 ¥1616.38
100+ ¥136.508911 ¥13650.89
500+ ¥121.434426 ¥60717.21
1000+ ¥114.201594 ¥114201.59

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