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NTMFD4C86NT3G
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- 制造商编号：
- NTMFD4C86NT3G
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 11.3/18.1A 8DFN
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 30V 11.3A，18.1A 1.1W 表面贴装型 8-DFN（5x6）
- 规格说明书：
- NTMFD4C86NT3G说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.3A，18.1A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.4 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22.2nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1153pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1.1W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | 8-DFN（5x6） |
| 标准包装 | 5,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BSC0993NDATMA1 | Infineon Technologies | ¥15.05000 | 类似 |
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- 包装
- 卷带（TR）
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