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IRF630
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | MESH OVERLAY™ II |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 700 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 75W（Tc） |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
价格库存
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥6.072394 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥12.60764 | ￥12.61 |
| 10+ | ￥11.257354 | ￥112.57 |
| 100+ | ￥8.778971 | ￥877.90 |
| 500+ | ￥7.252128 | ￥3626.06 |
| 1000+ | ￥6.072394 | ￥6072.39 |
