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DMN1002UCA6-7

Diodes photo

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制造商编号:
DMN1002UCA6-7
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 1.1W 表面贴装型 X4-DSN3118-6
规格说明书:
DMN1002UCA6-7说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 68.6nC @ 4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 1.1W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-SMD,无引线
供应商器件封装 X4-DSN3118-6
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥7.352097 ¥7.35
10+ ¥6.573573 ¥65.74
100+ ¥5.126178 ¥512.62
500+ ¥4.234534 ¥2117.27
1000+ ¥3.34305 ¥3343.05
3000+ ¥3.432187 ¥10296.56

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