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APT80GA60LD40

Microchip photo

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制造商编号:
APT80GA60LD40
制造商:
Microchip微芯
系列:
POWER MOS 8™
描述:
IGBT 600V 143A 625W TO264
详细描述:
IGBT PT 600 V 143 A 625 W 通孔 TO-264
规格说明书:
APT80GA60LD40说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 POWER MOS 8™
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 PT
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 143 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.5V @ 15V,47A
功率 - 最大值 625 W
开关能量 840µJ(开),751µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 230 nC
25°C 时 Td(开/关)值 23ns/158ns
测试条件 400V,47A,4.7 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 22 ns
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
供应商器件封装 TO-264
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
管件
单价:¥113.723151 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥123.651854 ¥123.65
100+ ¥113.723151 ¥11372.32

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