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SIB456DK-T1-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SIB456DK-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 6.3A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK® SC-75-6
规格说明书:
SIB456DK-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 185 毫欧 @ 1.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 130 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.4W(Ta),13W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SC-75-6
封装/外壳 PowerPAK® SC-75-6
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥1.733066 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥5.060463 ¥5.06
10+ ¥4.335586 ¥43.36
100+ ¥3.235091 ¥323.51
500+ ¥2.54182 ¥1270.91
1000+ ¥1.964131 ¥1964.13
3000+ ¥1.790832 ¥5372.50
6000+ ¥1.733066 ¥10398.40

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