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RF4E070GNTR

Rohm Semiconductor photo

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制造商编号:
RF4E070GNTR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
详细描述:
表面贴装型 N 通道 30 V 7A(Ta) 2W(Ta) HUML2020L8
规格说明书:
RF4E070GNTR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 21.4 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 220 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 HUML2020L8
封装/外壳 8-PowerUDFN
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.730419 ¥4.73
10+ ¥3.842468 ¥38.42
100+ ¥2.61917 ¥261.92
500+ ¥1.964344 ¥982.17
1000+ ¥1.473258 ¥1473.26
3000+ ¥1.350472 ¥4051.42
6000+ ¥1.26863 ¥7611.78

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