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SI7252DP-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI7252DP-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 100V 36.7A 46W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双
- 规格说明书：
- SI7252DP-T1-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36.7A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1170pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 46W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥11.029012 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥21.671713 | ￥21.67 |
| 10+ | ￥19.479674 | ￥194.80 |
| 100+ | ￥15.6612 | ￥1566.12 |
| 500+ | ￥12.867178 | ￥6433.59 |
| 1000+ | ￥11.029012 | ￥11029.01 |
| 3000+ | ￥11.029012 | ￥33087.04 |
