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IPS65R1K0CEAKMA1

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制造商编号:
IPS65R1K0CEAKMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
CoolMOS™ CE
描述:
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 4.3A(Tc) 37W(Tc) TO-251
规格说明书:
IPS65R1K0CEAKMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 CoolMOS™ CE
包装 管件
零件状态 Digi-Key 停止提供
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 328 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 37W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-251
封装/外壳 TO-251-3 短截引线,IPak
标准包装 1,500

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型号 品牌 参考价格 说明
STU7NM60N STMicroelectronics ¥19.58000 类似

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