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SI7810DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI7810DN-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 3.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK® 1212-8
- 规格说明书：
- SI7810DN-T1-GE3说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 62 毫欧 @ 5.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥6.858208 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥15.08192 | ￥15.08 |
| 10+ | ￥13.491667 | ￥134.92 |
| 100+ | ￥10.515816 | ￥1051.58 |
| 500+ | ￥8.687087 | ￥4343.54 |
| 1000+ | ￥6.858146 | ￥6858.15 |
| 3000+ | ￥6.858208 | ￥20574.62 |
