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SIZ328DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ328DT-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET® Gen IV
- 描述：
- MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 25V 11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc） 2.9W（Ta），15W（Tc），3.6W（Ta），16.2W（Tc） 表面贴装型 8-Power33（3x3）
- 规格说明书：
- SIZ328DT-T1-GE3说明书
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 5A，10V，10 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.9nC @ 10V，11.3nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 325pF @ 10V，600pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2.9W（Ta），15W（Tc），3.6W（Ta），16.2W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-Power33（3x3） |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDPC8016S | onsemi | ¥14.28000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥3.781223 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥8.591597 | ￥8.59 |
| 10+ | ￥7.562097 | ￥75.62 |
| 100+ | ￥5.797898 | ￥579.79 |
| 500+ | ￥4.583312 | ￥2291.66 |
| 1000+ | ￥3.666647 | ￥3666.65 |
| 6000+ | ￥3.781223 | ￥22687.34 |
