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APT65GP60B2G
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- 制造商编号：
- APT65GP60B2G
- 制造商：
- Microchip微芯
- 系列：
- POWER MOS 7®
- 描述：
- IGBT 600V 100A 833W TMAX
- 详细描述：
- IGBT PT 600 V 100 A 833 W 通孔
- 规格说明书：
- APT65GP60B2G说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microchip(微芯) |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 250 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.7V @ 15V，65A |
| 功率 - 最大值 | 833 W |
| 开关能量 | 605µJ（开），896µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 210 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 30ns/91ns |
| 测试条件 | 400V，65A，5 欧姆，15V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 变式 |
| 标准包装 | 1 |
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- 标准包装
- 1 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥168.072357 | ￥168.07 |
| 100+ | ￥154.415694 | ￥15441.57 |
