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APT65GP60B2G

Microchip photo

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制造商编号:
APT65GP60B2G
制造商:
Microchip微芯
系列:
POWER MOS 7®
描述:
IGBT 600V 100A 833W TMAX
详细描述:
IGBT PT 600 V 100 A 833 W 通孔
规格说明书:
APT65GP60B2G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 POWER MOS 7®
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 PT
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 250 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.7V @ 15V,65A
功率 - 最大值 833 W
开关能量 605µJ(开),896µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 210 nC
25°C 时 Td(开/关)值 30ns/91ns
测试条件 400V,65A,5 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3 变式
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
管件
单价:¥168.436329 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥183.33299 ¥183.33
100+ ¥168.436329 ¥16843.63

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