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IXTP01N100D
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- 制造商编号：
- IXTP01N100D
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- Depletion
- 描述：
- MOSFET N-CH 1000V 100MA TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 1000 V 100mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- IXTP01N100D说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | Depletion |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1000 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 110 欧姆 @ 50mA，0V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 120 pF @ 25 V |
| FET 功能 | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta），25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
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- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥56.810622 | ￥56.81 |
| 10+ | ￥51.025833 | ￥510.26 |
| 100+ | ￥41.804252 | ￥4180.43 |
| 500+ | ￥35.587409 | ￥17793.70 |
| 1000+ | ￥30.013551 | ￥30013.55 |
| 2000+ | ￥29.233955 | ￥58467.91 |
