BSO612CVGHUMA1
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- 制造商编号:
- BSO612CVGHUMA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- SIPMOS®
- 描述:
- MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V 3A,2A 2W 表面贴装型 PG-DSO-8
- 规格说明书:
- BSO612CVGHUMA1说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | SIPMOS® |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A,2A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 120 毫欧 @ 3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 20µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15.5nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 340pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
标准包装 | 2,500 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
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阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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