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DMC67D8UFDBQ-13

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制造商编号:
DMC67D8UFDBQ-13
制造商:
Diodes美台
系列:
Automotive, AEC-Q101
描述:
MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道互补型 60V,20V 390mA(Ta),2.9A(Ta) 580mW(Ta) 表面贴装型 U-DFN2020-6(B 类)
规格说明书:
DMC67D8UFDBQ-13说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道互补型
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 60V,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 390mA(Ta),2.9A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4Ohm @ 500mA,10V,72mOhm @ 3.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA,1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.4pC @ 4.5V,7.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 41pF @ 25V,443pF @ 16V
功率 - 最大值 580mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 U-DFN2020-6(B 类)
标准包装 10,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
10,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥1.180369 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
10000+ ¥1.180369 ¥11803.69

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