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STO33N60M6

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制造商编号:
STO33N60M6
制造商:
ST意法半导体
系列:
MDmesh™ M6
描述:
MOSFET N-CH 600V 25A TOLL
详细描述:
表面贴装型 N 通道 600 V 25A(Tc) 230W(Tc) TOLL(HV)
规格说明书:
STO33N60M6说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 MDmesh™ M6
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 125 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 33.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1515 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 230W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TOLL(HV)
封装/外壳 8-PowerSFN
标准包装 1,800

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,800 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥48.409854 ¥48.41
10+ ¥43.453743 ¥434.54
100+ ¥35.602273 ¥3560.23
500+ ¥30.307852 ¥15153.93
1800+ ¥29.046425 ¥52283.57

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