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BAV19 A0G

Taiwan Semiconductor photo

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制造商编号:
BAV19 A0G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
详细描述:
二极管 标准 100 V 200mA 通孔 DO-35
规格说明书:
BAV19 A0G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 带盒(TB)
零件状态 在售
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 100 V
电流 - 平均整流 (Io) 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.25 V @ 200 mA
速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 100 nA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容 5pF @ 0V,1MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装 DO-35
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
标准包装 5,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
1N914ATR onsemi ¥1.84000 直接
1N4148TR onsemi ¥0.77000 直接
1N4148-T50R onsemi ¥0.77000 直接
1N4447 onsemi ¥0.92000 直接
1N914B onsemi ¥0.77000 直接

价格库存

库存
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货期
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标准包装
5,000 / PCS
包装
带盒(TB)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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