您好,欢迎来到壹方微芯!

IPP80R1K4P7XKSA1

Infineon photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
IPP80R1K4P7XKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
CoolMOS™
描述:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
详细描述:
通孔 N 通道 800 V 4A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-3
规格说明书:
IPP80R1K4P7XKSA1说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 CoolMOS™
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.4 欧姆 @ 1.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 10 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 250 pF @ 500 V
FET 功能 超级结
功率耗散(最大值) 32W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-3
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥9.149417 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥18.140579 ¥18.14
10+ ¥16.194725 ¥161.95
100+ ¥12.626042 ¥1262.60
500+ ¥10.430273 ¥5215.14
1000+ ¥9.149417 ¥9149.42

相关产品