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STP31N65M5
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- 制造商编号：
- STP31N65M5
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- MDmesh™ V
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 22A TO220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 22A（Tc） 150W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- STP31N65M5说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | MDmesh™ V |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 22A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 148 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 816 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPP65R150CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | ¥55.14000 | 类似 |
| IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | ¥32.56000 | 类似 |
| FCP22N60N | onsemi | ¥39.47000 | 类似 |
| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | ¥39.47000 | 类似 |
| FCP190N65F | Rochester Electronics, LLC | ¥25.80000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥25.459289 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥42.398474 | ￥42.40 |
| 10+ | ￥38.088998 | ￥380.89 |
| 100+ | ￥31.20565 | ￥3120.57 |
| 500+ | ￥26.565019 | ￥13282.51 |
| 1000+ | ￥25.459289 | ￥25459.29 |
