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VMM650-01F
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- 制造商编号：
- VMM650-01F
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 100V 680A - 底座安装 Y3-Li
- 规格说明书：
- VMM650-01F说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™ |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 680A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.2 毫欧 @ 500A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 30mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1440nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | Y3-Li |
| 供应商器件封装 | Y3-Li |
| 标准包装 | 2 |
价格库存
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- 标准包装
- 2 / PCS
- 包装
- 散装
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3161.755067 | ￥3161.76 |
| 10+ | ￥3150.834068 | ￥31508.34 |
