SI1489EDH-T1-GE3
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- 制造商编号:
- SI1489EDH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
- 详细描述:
- 表面贴装型 P 通道 8 V 2A(Tc) 2.8W(Tc) SC-70-6
- 规格说明书:
- SI1489EDH-T1-GE3说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 8 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.2V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 48 毫欧 @ 3A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±5V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.8W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SC-70-6 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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