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IRFHM792TRPBF

Infineon photo

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制造商编号:
IRFHM792TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 100V 2.3A 2.3W 表面贴装型 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
规格说明书:
IRFHM792TRPBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 195 毫欧 @ 2.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 251pF @ 25V
功率 - 最大值 2.3W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商器件封装 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
标准包装 4,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥10.509509 ¥10.51
10+ ¥9.410684 ¥94.11
100+ ¥7.334771 ¥733.48
500+ ¥6.059336 ¥3029.67
1000+ ¥5.315258 ¥5315.26
4000+ ¥5.31527 ¥21261.08

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