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IXTH32N65X
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- 制造商编号：
- IXTH32N65X
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- Ultra X
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 32A TO247
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 32A（Tc） 500W（Tc） TO-247（IXTH）
- 规格说明书：
- IXTH32N65X说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | Ultra X |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 32A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 135 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 54 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2205 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 500W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247（IXTH） |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | ¥53.76000 | 类似 |
| TSM60NB099PW C1G | Taiwan Semiconductor Corporation | ¥122.18000 | 类似 |
| STW37N60DM2AG | STMicroelectronics | ¥54.76000 | 类似 |
| APT30N60BC6 | Microchip Technology | ¥44.85000 | 类似 |
| IPW50R140CPFKSA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥40.31017 | 类似 |
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥60.978327 | ￥1829.35 |
