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    PSMN1R6-30PL,127

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    制造商编号：
    PSMN1R6-30PL,127
    制造商：
    Nexperia安世
    系列：
    -
    描述：
    MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
    详细描述：
    通孔 N 通道 30 V 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
    规格说明书：
    PSMN1R6-30PL,127说明书
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 Nexperia(安世)
    系列 -
    包装 管件
    零件状态 停产
    FET 类型 N 通道
    技术 MOSFET（金属氧化物）
    漏源电压（Vdss） 30 V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Tc）
    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.7 毫欧 @ 25A，10V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.15V @ 1mA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 212 nC @ 10 V
    Vgs（最大值） ±20V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 12493 pF @ 12 V
    FET 功能 -
    功率耗散（最大值） 306W（Tc）
    工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
    安装类型 通孔
    供应商器件封装 TO-220AB
    封装/外壳 TO-220-3
    标准包装 50

    替代产品

    型号 品牌 参考价格 说明
    IRL3803PBF Rochester Electronics, LLC ¥4.65000 类似
    IRF3703PBF Infineon Technologies ¥30.49000 类似
    IPP042N03LGXKSA1 Infineon Technologies ¥13.06000 类似

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    标准包装
    50 / PCS
    包装
    管件
    单价：￥0 总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
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