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ES3J R7G

Taiwan Semiconductor photo

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制造商编号:
ES3J R7G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
详细描述:
二极管 标准 600 V 3A 表面贴装型 DO-214AB(SMC)
规格说明书:
ES3J R7G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 Digi-Key 停止提供
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 600 V
电流 - 平均整流 (Io) 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.7 V @ 3 A
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 10 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容 30pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 DO-214AB,SMC
供应商器件封装 DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C
标准包装 850

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
VS-4ECH06-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥6.37000 类似
S3J-13-F Diodes Incorporated ¥3.07000 类似
RS3JB-13-F Diodes Incorporated ¥4.84000 类似
FR3J-TP Micro Commercial Co ¥4.76000 类似
SMLJ60S6-TP Micro Commercial Co ¥7.99000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
850 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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