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STGF5H60DF

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请参阅产品规格

制造商编号:
STGF5H60DF
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 600 V 10 A 24 W 通孔 TO-220FP
规格说明书:
STGF5H60DF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 10 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 20 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 1.95V @ 15V,5A
功率 - 最大值 24 W
开关能量 56µJ(开),78.5µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 43 nC
25°C 时 Td(开/关)值 30ns/140ns
测试条件 400V,5A,47 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 134.5 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商器件封装 TO-220FP
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥7.278861 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥15.08192 ¥15.08
10+ ¥13.501614 ¥135.02
100+ ¥10.523401 ¥1052.34
500+ ¥8.693005 ¥4346.50
1000+ ¥7.278861 ¥7278.86

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