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RDN100N20

Rohm Semiconductor photo

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制造商编号:
RDN100N20
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
详细描述:
通孔 N 通道 200 V 10A(Ta) 35W(Tc) TO-220FN
规格说明书:
RDN100N20说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 散装
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 360 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 543 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 35W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FN
封装/外壳 TO-220-3 整包
标准包装 500

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型号 品牌 参考价格 说明
STF19NF20 STMicroelectronics ¥8.68000 类似

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500 / PCS
包装
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