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SIHB35N60E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHB35N60E-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 32A（Tc） 250W（Tc） D²PAK（TO-263）
- 规格说明书：
- SIHB35N60E-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 32A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 94 毫欧 @ 17A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 132 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2760 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥36.238174 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥63.983151 | ￥63.98 |
| 10+ | ￥57.494071 | ￥574.94 |
| 100+ | ￥47.109678 | ￥4710.97 |
| 500+ | ￥40.103585 | ￥20051.79 |
| 1000+ | ￥36.238174 | ￥36238.17 |
