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BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Infineon photo

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制造商编号:
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
-
描述:
IGBT MODULE 1200V 15A 80W
详细描述:
IGBT 模块 - 全桥 1200 V 15 A 80 W 底座安装 模块
规格说明书:
BSM10GD120DN2E3224BOSA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 -
包装 托盘
零件状态 最后售卖
IGBT 类型 -
配置 全桥
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 15 A
功率 - 最大值 80 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 3.2V @ 15V,10A
电流 - 集电极截止(最大值) 400 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 530 pF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 10

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型号 品牌 参考价格 说明
MWI15-12A7 IXYS ¥633.26000 类似

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