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    PSMN2R2-40YSDX

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    制造商编号：
    PSMN2R2-40YSDX
    制造商：
    Nexperia安世
    系列：
    TrenchMOS™
    描述：
    MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
    详细描述：
    表面贴装型 N 通道 40 V 180A（Ta） 166W（Ta） LFPAK56，Power-SO8
    规格说明书：
    PSMN2R2-40YSDX说明书
    在线客服：
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    服务：
    为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。

    规格参数

    属性 属性值
    制造商 Nexperia(安世)
    系列 TrenchMOS™
    包装 卷带（TR） 剪切带（CT）
    零件状态 在售
    FET 类型 N 通道
    技术 MOSFET（金属氧化物）
    漏源电压（Vdss） 40 V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180A（Ta）
    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.2 毫欧 @ 25A，10V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.6V @ 1mA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 63 nC @ 10 V
    Vgs（最大值） ±20V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5130 pF @ 20 V
    FET 功能 -
    功率耗散（最大值） 166W（Ta）
    工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
    安装类型 表面贴装型
    供应商器件封装 LFPAK56，Power-SO8
    封装/外壳 SC-100，SOT-669
    标准包装 1,500

    价格库存

    库存
    0
    货期
    咨询客服
    标准包装
    1,500 / PCS
    包装
    卷带（TR）
    单价：￥8.478165 总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
    1+ ￥16.710718 ￥16.71
    10+ ￥14.982452 ￥149.82
    100+ ￥12.039301 ￥1203.93
    500+ ￥9.891154 ￥4945.58
    1500+ ￥8.478165 ￥12717.25

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