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TC6320TG-G

Microchip photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
TC6320TG-G
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 200V - - 表面贴装型 8-SOIC
规格说明书:
TC6320TG-G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 110pF @ 25V
功率 - 最大值 -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
标准包装 3,300

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,300 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥13.46399 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥16.325277 ¥16.33
25+ ¥13.551597 ¥338.79
100+ ¥13.46394 ¥1346.39
3300+ ¥13.46399 ¥44431.17

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